洪波
,
潘应君
,
张扬
,
张恒
,
陆旭锋
电镀与涂饰
采用磁控溅射技术在钼圆片基体表面制备了镍薄膜,并用扫描电镜、平整度仪和X射线衍射分析仪对其进行了表征.研究了不同负偏压对薄膜附着力、微观结构、平整性、晶粒取向以及大小的影响.结果表明,随负偏压增大,薄膜与基体结合力明显增强;适当的负偏压能改善薄膜表面致密性和平整性,在450 V时达到最优.但当负偏压进一步升高到600 V时,镍膜的表面起伏反而变大,平整性有所下降.负偏压对镍膜晶面生长的择优取向影响并不明显,而晶粒尺寸随负偏压增加呈增大的趋势.
关键词:
钼
,
镍
,
磁控溅射
,
负偏压
,
附着力
,
表面形貌
,
晶粒尺寸
张焱
,
彭凯
,
王成磊
,
宋沂泽
,
高原
,
董中新
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.11.001
目的 确定适当的负偏压,提高多弧离子镀氮化钛薄膜的综合性能. 方法 采用不同的负偏压,在4 Cr13不锈钢表面制备TiN薄膜,探讨偏压对薄膜表面质量、结构、硬度、结合力和摩擦系数的影响. 结果 负偏压对薄膜表面质量的影响较大:负偏压为0 V时,TiN薄膜表面凹凸不平,液滴较多;随着负偏压升高,薄膜表面变得光滑,液滴减少并变小,薄膜致密性也得到提高. 在不同负偏压下, TiN薄膜均呈现出在(111)晶面的择优取向,但随着负偏压的增大,这种择优取向逐渐减弱,当负偏压达到400 V时,薄膜在(220)晶面的峰值逐渐增强. 随着负偏压从0增至400 V,薄膜的硬度、结合力和耐磨性均先提高,后降低. 当负偏压为300 V时,薄膜的硬度和结合力达到最大,分别为2650 HV和58 N;摩擦系数和磨损量最小,分别为0. 48和0. 1065 mm3. 结论 施加适当的负偏压可以提高薄膜的硬度、结合力、耐磨性等性能,当负偏压为300 V时,薄膜的各项性能达到最佳.
关键词:
多弧离子镀
,
氮化钛
,
负偏压
,
耐磨性
,
结合力
,
硬度
陈昌浩
,
金永中
,
刘东亮
,
余学金
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.11.005
目的 分析不同负偏压下TiN涂层表面的大颗粒数量、尺寸和面积以及像素分布,为多弧离子镀技术的工业化应用提供基础数据. 方法 采用多弧离子镀膜技术,以脉冲负偏压为变量,在硬质合金表面沉积TiN涂层. 用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行表征,并利用ImageJ软件对表面大颗粒的数量和尺寸进行分析,对像素分布进行统计. 结果 随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒的数量先增多,后减少. 负偏压为100 V时,大颗粒数量最多,为1364;负偏压为300 V时,大颗粒数量最少,为750. 此外随着负偏压的增加,大颗粒所占涂层面积比逐渐减小. 未加负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最大,为6 . 9%,且此时涂层的力学性能最差;采用400 V负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最小,为3 . 3%,且此时涂层的力学性能最好. 负偏压为300 V时,亮、暗像素点的个数最多,为8302;负偏压为400 V时,亮、暗像素点的个数最少,为4067. 结论 当占空比为30%,沉积时间为1 h,负偏压为400 V时,获得的涂层力学性能最好,颗粒数量少且尺寸小.
关键词:
多弧离子镀
,
TiN涂层
,
负偏压
,
ImageJ软件
,
大颗粒
,
像素分布
